EL2530S(تا)

OPTOISO 5KV 2CH TRANS THRU-HOLE

إرسال التحقيق

الوصف

معلمات التقنية

المنتجات ذات الصلة:

جزء الشركة المصنعة	EL2530S(تا)	EL2530S(تا)-V	EL2531S(تا)	EL2531S(تا)-V
وصف	مقرن ضوئي، مخرج الترانزستور الضوئي	مقرن ضوئي، مخرج الترانزستور الضوئي	مقرن ضوئي، مخرج الترانزستور الضوئي	مقرن ضوئي، مخرج الترانزستور الضوئي
مخزون	80000	80000	80000	80000
حالة المنتج	نشيط	نشيط	نشيط	نشيط
الجهد - العزل	5000 فولت جذر متوسط التربيع	5000 فولت جذر متوسط التربيع	5000 فولت جذر متوسط التربيع	5000 فولت جذر متوسط التربيع
نسبة التحويل الحالي (الحد الأدنى)	7% عند 16 مللي أمبير	7% عند 16 مللي أمبير	7% عند 16 مللي أمبير	7% عند 16 مللي أمبير
نسبة التحويل الحالي (الحد الأقصى)	50% عند 16 مللي أمبير	50% عند 16 مللي أمبير	50% عند 16 مللي أمبير	50% عند 16 مللي أمبير
وقت التشغيل/الإيقاف (نموذجي)	350 نانوثانية، 300 نانوثانية	350 نانوثانية، 300 نانوثانية	350 نانوثانية، 300 نانوثانية	350 نانوثانية، 300 نانوثانية
نوع الإدخال	دي سي	دي سي	دي سي	دي سي
نوع الإخراج	ترانزستور 1 ميجا بايت	ترانزستور 1 ميجا بايت	ترانزستور 1 ميجا بايت	ترانزستور 1 ميجا بايت
الجهد - الخرج (الحد الأقصى)	20V	20V	20V	20V
التيار - الإخراج / القناة	8 مللي أمبير	8 مللي أمبير	8 مللي أمبير	8 مللي أمبير
الجهد - أمامي (Vf) (نموذجي)	1.45V	1.45V	1.45V	1.45V
التيار - تيار مستمر أمامي (إذا) (الحد الأقصى)	25 مللي أمبير	25 مللي أمبير	25 مللي أمبير	25 مللي أمبير
درجة حرارة التشغيل	-40-C ~ 100-C	-40-C ~ 100-C	-40-C ~ 100-C	-40-C ~ 100-C
الحزمة / العلبة	SMD8(7.62 مم)	SMD8(7.62 مم)	SMD8(7.62 مم)	SMD8(7.62 مم)
طَرد	شريط وبكرة (TR)	شريط وبكرة (TR)	شريط وبكرة (TR)	شريط وبكرة (TR)

طلبs:

• مستقبلات الخط

• معدات الاتصالات

• عزل الترانزستورات القوية في محركات السيارات

• استبدال موصلات الصور الضوئية ذات الترانزستور الضوئي منخفض السرعة

• حلقة التغذية الراجعة في مصادر الطاقة ذات الوضع التبديلي

• الأجهزة المنزلية

• عزل أرضي منطقي عالي السرعة

الوصف العام:

تتكون كل من الأجهزة ثنائية القناة EL2530 وEL2531 من صمام ثنائي باعث للأشعة تحت الحمراء، مقترن بصريًا بترانزستور كاشف ضوئي عالي السرعة. يعمل الاتصال المنفصل بين الصمام الثنائي الضوئي ومجمع الترانزستور الناتج على زيادة السرعة بعدة أوامر من حيث الحجم مقارنة بمقارنات الترانزستور الضوئي التقليدية عن طريق تقليل سعة قاعدة المجمع للترانزستور المدخل.

يتم تعبئة الأجهزة في حزمة DIP ذات 8- دبوس ومتوفرة بمسافات واسعة بين الأسلاك وخيار SMD.

الوسم : el2530s(ta)، الصين el2530s(ta) المصنعين والموردين

زوج من

EL354(أ)(تا)

في المادة التالية

EL1019(تا)-G

إرسال التحقيق

قد يعجبك ايضا