HCPL٪7b٪7b0٪7d٪7dE

يعمل نظام HCPL-3180-500E بسلاسة عبر نطاق واسع من درجات الحرارة من -40 درجة إلى 100 درجة، ويُظهر المرونة في ظروف البرد والحرارة الشديدة.

إرسال التحقيق

الوصف

معلمات التقنية

يعد برنامج تشغيل البوابة optocoupler HCPL{{0}}E مكونًا عالي الأداء مصممًا لتحقيق الدقة والموثوقية في التطبيقات الإلكترونية. مع الحد الأقصى لتيار الإخراج الأقصى 2.5 أمبير، والحد الأدنى لتيار الإخراج الأقصى 2.0 أمبير، وسرعة التبديل السريعة 250 كيلو هرتز، فإنه يضمن توصيل طاقة قوي واستجابات سريعة. تشتمل الميزات الجديرة بالملاحظة على استجابة عالية السرعة مع تأخير نشر أقصى يبلغ 200 ns، والحد الأدنى 10 كيلو فولت/ميكروثانية لرفض الوضع العام (CMR)، وحماية قفل الجهد المنخفض (UVLO). يعمل بسلاسة في نطاق واسع من درجات الحرارة (-40 درجة إلى 100 درجة) ومع نطاق VCC من 10 فولت إلى 20 فولت، فهو يتكيف مع البيئات المتنوعة. بالإضافة إلى ذلك، تؤكد موافقات السلامة الخاصة بها، بما في ذلك UL وCSA وIEC/EN/DIN EN 60747-5-2، على امتثالها للمعايير الصارمة، مما يجعلها خيارًا مثاليًا للمهندسين الذين يبحثون عن الموثوقية والدقة والسلامة في التطبيقات عالية السرعة. .

product-1267-889

منتجات ذات صله:

الجزء Mfr	HCPL٪7b٪7b0٪7d٪7d	HCPL٪7b٪7b0٪7d٪7dE	HCPL٪7b٪7b0٪7d٪7dE	HCPL٪7b٪7b0٪7d٪7d	HCPL٪7b٪7b0٪7d٪7dE	HCPL٪7b٪7b0٪7d٪7dE	HCPL٪7b٪7b0٪7d٪7dE
وصف	سائق OPTOISO IGBT MOSFET	سائق OPTOISO IGBT MOSFET	سائق OPTOISO IGBT MOSFET	سائق OPTOISO IGBT MOSFET	سائق OPTOISO IGBT MOSFET	سائق OPTOISO IGBT MOSFET	سائق OPTOISO IGBT MOSFET
مخزون	50000	50000	50000	50000	50000	50000	50000
حالة المنتج	نشيط	نشيط	نشيط	نشيط	نشيط	نشيط	نشيط
تكنولوجيا	اقتران بصري	اقتران بصري	اقتران بصري	اقتران بصري	اقتران بصري	اقتران بصري	اقتران بصري
عدد القنوات	1	1	1	1	1	1	1
الجهد - العزلة	3750 فولت	3750 فولت	3750 فولت	3750 فولت	3750 فولت	3750 فولت	3750 فولت
الوضع المشترك للمناعة العابرة (الحد الأدنى)	10 كيلو فولت/لنا	10 كيلو فولت/لنا	10 كيلو فولت/لنا	10 كيلو فولت/لنا	10 كيلو فولت/لنا	10 كيلو فولت/لنا	10 كيلو فولت/لنا
تأخير الانتشار tpLH / tpHL (الحد الأقصى)	200 نانو، 200 نانو ثانية	200 نانو، 200 نانو ثانية	200 نانو، 200 نانو ثانية	200 نانو، 200 نانو ثانية	200 نانو، 200 نانو ثانية	200 نانو، 200 نانو ثانية	200 نانو، 200 نانو ثانية
تشويه عرض النبض (الحد الأقصى)	65 نانوثانية	65 نانوثانية	65 نانوثانية	65 نانوثانية	65 نانوثانية	65 نانوثانية	65 نانوثانية
الحالي - الناتج مرتفع ومنخفض	2A, 2A	2A, 2A	2A, 2A	2A, 2A	2A, 2A	2A, 2A	2A, 2A
الحالي - ذروة الانتاج	2A	2A	2A	2A	2A	2A	2A
الجهد - للأمام (Vf) (الطباع)	1.5V	1.5V	1.5V	1.5V	1.5V	1.5V	1.5V
الحالي - DC للأمام (إذا) (الحد الأقصى)	25 مللي أمبير	25 مللي أمبير	25 مللي أمبير	25 مللي أمبير	25 مللي أمبير	25 مللي أمبير	25 مللي أمبير
الجهد - توريد الإخراج	10V ~ 20V	10V ~ 20V	10V ~ 20V	10V ~ 20V	10V ~ 20V	10V ~ 20V	10V ~ 20V
درجة حرارة التشغيل	-40-C ~ 125-C	-40 درجة ~ 100 درجة	-40 درجة ~ 100 درجة	-40 درجة ~ 100 درجة	-40 درجة ~ 100 درجة	-40 درجة ~ 100 درجة	-40 درجة ~ 100 درجة
الحزمة / القضية	DIP8 (7.62 ملم)	DIP8 (7.62 ملم)	DIP8 (7.62 ملم)	SMD8 (7.62 ملم)	SMD8 (7.62 ملم)	SMD8 (7.62 ملم)	SMD8 (7.62 ملم)
طَرد	أنبوب	أنبوب	أنبوب	الشريط والبكرة (TR)	الشريط والبكرة (TR)	الشريط والبكرة (TR)	الشريط والبكرة (TR)

التطبيقات:

• لوحة عرض البلازما (PDP)

• بنية الطاقة الموزعة (DPA)

• مقوم SwitchMode (SMR)

• عالية الأداء DC / DCconverter

• تحويل مصدر الطاقة (SPS) عالي الأداء

• مصدر طاقة غير منقطع عالي الأداء (UPS)

• محرك بوابة IGBT/PowerMOSFET معزول

وصف:

تتكون عائلة الأجهزة هذه من GaAsP LED. يقترن مؤشر LED بصريًا بدائرة متكاملة بمرحلة طاقة. تعد هذه optocouplers مناسبة بشكل مثالي للقيادة عالية التردد لـ IGBTs و MOSFETs المستخدمة في لوحات عرض البلازما، ومحولات DC/DC عالية الأداء، وتطبيقات عاكس التحكم في المحرك.

حذر:

يُنصح باتخاذ الاحتياطات الثابتة العادية عند التعامل مع هذا المكون وتجميعه لمنع التلف و/أو التدهور الذي قد يحدث بسبب التفريغ الإلكتروستاتيكي (ESD).

الوسم : hcpl-3180-500e، الصين مصنعي وموردي hcpl-3180-500e

زوج من

HCPL-J٪7b٪7b1٪7d٪7dE

في المادة التالية

HCPL-316J-500E

إرسال التحقيق

قد يعجبك ايضا